A1SHB（PL2301）和A2SHB（PL2302）是兩種常見(jiàn)的三極管，它們屬于場(chǎng)效應(yīng)管。這篇文章將介紹它們的特點(diǎn)和一些重要參數(shù)。A1SHB（PL2301）的特點(diǎn)A1SHB是一種P溝道MOSFET晶

A1SHB（PL2301）和A2SHB（PL2302）是兩種常見(jiàn)的三極管，它們屬于場(chǎng)效應(yīng)管。這篇文章將介紹它們的特點(diǎn)和一些重要參數(shù)。

A1SHB（PL2301）的特點(diǎn)

A1SHB是一種P溝道MOSFET晶體管。其最大功耗PD為1.25W。漏源電壓VDS的極限值為-20V。在TA25°C時(shí)，漏極電流ID為-2.2A；在TA70°C時(shí)，漏極電流ID為-1.4A。柵極漏電流IGSS為1100nA。

A1SHB（PL2301）實(shí)物圖片

在實(shí)物圖片中，我們可以看到A1SHB（PL2301）的外觀和引腳布局。這有助于我們更好地理解其結(jié)構(gòu)和工作原理。

A2SHB（PL2302）的特點(diǎn)

A2SHB是一種N溝道MOSFET晶體管。其最大功耗PD為1.25W。漏源電壓VDS的極限值為20V。在TA25°C時(shí)，漏極電流ID為3.0A；在TA70°C時(shí)，漏極電流ID為2.2A。柵極漏電流IGSS為110uA。

A2SHB（PL2302）實(shí)物圖片

在實(shí)物圖片中，我們可以看到A2SHB（PL2302）的外觀和引腳布局。這有助于我們更好地理解其結(jié)構(gòu)和工作原理。

這兩種三極管具有不同的特點(diǎn)和適用范圍。了解它們的參數(shù)和性能對(duì)于電路設(shè)計(jì)和選擇合適的器件非常重要。如果您需要使用P溝道或N溝道MOSFET晶體管，A1SHB和A2SHB可能是不錯(cuò)的選擇。但是，在選擇之前，請(qǐng)確保根據(jù)您的具體需求和電路要求來(lái)評(píng)估其性能。