網(wǎng)友解答: 自舉升壓是利用電容的電壓不能突變的原理來實現(xiàn)的。自舉電路說明題主的圖例中，芯片內(nèi)的MOS管是電壓驅(qū)動的。該電路的拓撲為BUCK型電路，即降壓電路，MOS管的柵極G和源極S之間

自舉升壓是利用電容的電壓不能突變的原理來實現(xiàn)的。

題主的圖例中，芯片內(nèi)的MOS管是電壓驅(qū)動的。該電路的拓撲為BUCK型電路，即降壓電路，MOS管的柵極G和源極S之間需要加一正電壓，該管子才能導通，導通后該芯片的PV1與LX1腳的電壓近似相等。假設PV1的電壓是30V，MOS管安全導通的電壓為15V，那么當MOS管導通后，MOS管的柵極和源極之間要保持15V電壓，那么柵極與參考地之間的電壓就需要45V，顯然一般的控制電路中不會再弄個45V的電源。

針對這一問題，一個比較方便的方案就是采用自舉技術。我這里對題主的圖片作了一些說明，如下圖所示：

題主原圖中的紅色箭頭我想應該是指自舉電容的充電路徑。這里我對該電流的路徑從從續(xù)流二極管D1的陰極流入，然后從陽極流出這一點不是很認同。但是我現(xiàn)在還沒有想明白該電流從自舉電容負端流出后會從哪條路徑走還不是太明白。若有了解的朋友請留言訴我。

對于BUCK電路，當MOS截止時電感L1的電流通過二極管D1續(xù)流，因此D1的陰極電路約為-0.7V左右。電源將通過自舉二極管給自舉電容充電，因些自舉電容上的電壓約等于電源電壓。

上圖中藍色箭頭所指就是自舉電容的放電路徑，在電路工作期間，自舉電容被循環(huán)充電放電，因此該電容兩端的電壓是在上下波動的，該波動范圍與電路的工作頻率及該電容的大小有關。在設計電路參數(shù)時需要考慮電容兩端電壓的最小值要大于MOS管開通的最低電壓值，不然MOS的損耗會變大，影響使用壽命。

口口木的筆記 2019年2月9日

什么是自舉電路?

答；在電子電路中，利用晶體管的單向?qū)щ娞匦?，電阻、電容器的充放電性質(zhì)，將電子放大電路中的電壓進行疊加提高的電路，俗稱自舉電路。（自舉電路存在的方式，只是在實踐中定的名稱，在理論上沒有它的名詞概念）以下圖為例。

在上圖oTL功率放大器電路中，R（510Ω）、RC1.（650Ω）電阻為自舉電阻。C2（100uF）電解電容器為自舉電容。自舉電路在oTL放大器，提升電壓的目的，只是對于負載提供一個自舉交流信號通路。

工作時，R 、 C1將自舉電壓加至V2（3DG12）三極管的基極b。當V1三極管集電集信號為正半周期時，Ⅴ2導通進行信號放大，當輸入V2三極管基極b的交流信號比較大時，V2基極信號電壓高，此時V2三極管的發(fā)射集e電壓跟著基極b電壓，V2的發(fā)射極電壓接近于直流工作電壓+Ucc，這樣就迫使V2集電極與發(fā)射極兩點的直流電壓迅速減小，此時V2最容易進入飽和狀態(tài)，使三極管的基極b電流控制集電極電流。

通俗一點說，三極管集電極C與發(fā)射極e之間由于工作電壓下降后，基極b上的控制電流增大很多才能夠使三極管集電極C的電流有一點增大，顯然使正半周放大信號輸出受到了阻礙抑制，造成正半周信號波形與幅度失真，造成輸出不良，所以必須采用自舉電路來加以補償。

由于自舉電容C2容量較大，它在RC充放電回路中的時間常數(shù)較大，正常工作的三極管Ⅴ2，在正半周期大信號輸出時，由C2來提供能量，此時C2上的電壓基本接近Ucc電源電壓。這就是所謂的自舉電路在放大器中的作用與功能所在。

彈指一揮間，這是好多年前的電子電路的基礎知識。 以上個人觀點，年長時久，難免只言片語和不當之處，望能夠體恤，本人在此謝過。

知足常樂2018.3.17于上海