網(wǎng)友解答: 自舉升壓是利用電容的電壓不能突變的原理來實(shí)現(xiàn)的。自舉電路說明題主的圖例中，芯片內(nèi)的MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)的。該電路的拓?fù)錇锽UCK型電路，即降壓電路，MOS管的柵極G和源極S之間

自舉升壓是利用電容的電壓不能突變的原理來實(shí)現(xiàn)的。

題主的圖例中，芯片內(nèi)的MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)的。該電路的拓?fù)錇锽UCK型電路，即降壓電路，MOS管的柵極G和源極S之間需要加一正電壓，該管子才能導(dǎo)通，導(dǎo)通后該芯片的PV1與LX1腳的電壓近似相等。假設(shè)PV1的電壓是30V，MOS管安全導(dǎo)通的電壓為15V，那么當(dāng)MOS管導(dǎo)通后，MOS管的柵極和源極之間要保持15V電壓，那么柵極與參考地之間的電壓就需要45V，顯然一般的控制電路中不會(huì)再弄個(gè)45V的電源。

針對(duì)這一問題，一個(gè)比較方便的方案就是采用自舉技術(shù)。我這里對(duì)題主的圖片作了一些說明，如下圖所示：

題主原圖中的紅色箭頭我想應(yīng)該是指自舉電容的充電路徑。這里我對(duì)該電流的路徑從從續(xù)流二極管D1的陰極流入，然后從陽極流出這一點(diǎn)不是很認(rèn)同。但是我現(xiàn)在還沒有想明白該電流從自舉電容負(fù)端流出后會(huì)從哪條路徑走還不是太明白。若有了解的朋友請(qǐng)留言訴我。

對(duì)于BUCK電路，當(dāng)MOS截止時(shí)電感L1的電流通過二極管D1續(xù)流，因此D1的陰極電路約為-0.7V左右。電源將通過自舉二極管給自舉電容充電，因些自舉電容上的電壓約等于電源電壓。

上圖中藍(lán)色箭頭所指就是自舉電容的放電路徑，在電路工作期間，自舉電容被循環(huán)充電放電，因此該電容兩端的電壓是在上下波動(dòng)的，該波動(dòng)范圍與電路的工作頻率及該電容的大小有關(guān)。在設(shè)計(jì)電路參數(shù)時(shí)需要考慮電容兩端電壓的最小值要大于MOS管開通的最低電壓值，不然MOS的損耗會(huì)變大，影響使用壽命。

口口木的筆記 2019年2月9日

什么是自舉電路?

答；在電子電路中，利用晶體管的單向?qū)щ娞匦?，電阻、電容器的充放電性質(zhì)，將電子放大電路中的電壓進(jìn)行疊加提高的電路，俗稱自舉電路。（自舉電路存在的方式，只是在實(shí)踐中定的名稱，在理論上沒有它的名詞概念）以下圖為例。

在上圖oTL功率放大器電路中，R（510Ω）、RC1.（650Ω）電阻為自舉電阻。C2（100uF）電解電容器為自舉電容。自舉電路在oTL放大器，提升電壓的目的，只是對(duì)于負(fù)載提供一個(gè)自舉交流信號(hào)通路。

工作時(shí)，R 、 C1將自舉電壓加至V2（3DG12）三極管的基極b。當(dāng)V1三極管集電集信號(hào)為正半周期時(shí)，Ⅴ2導(dǎo)通進(jìn)行信號(hào)放大，當(dāng)輸入V2三極管基極b的交流信號(hào)比較大時(shí)，V2基極信號(hào)電壓高，此時(shí)V2三極管的發(fā)射集e電壓跟著基極b電壓，V2的發(fā)射極電壓接近于直流工作電壓+Ucc，這樣就迫使V2集電極與發(fā)射極兩點(diǎn)的直流電壓迅速減小，此時(shí)V2最容易進(jìn)入飽和狀態(tài)，使三極管的基極b電流控制集電極電流。

通俗一點(diǎn)說，三極管集電極C與發(fā)射極e之間由于工作電壓下降后，基極b上的控制電流增大很多才能夠使三極管集電極C的電流有一點(diǎn)增大，顯然使正半周放大信號(hào)輸出受到了阻礙抑制，造成正半周信號(hào)波形與幅度失真，造成輸出不良，所以必須采用自舉電路來加以補(bǔ)償。

由于自舉電容C2容量較大，它在RC充放電回路中的時(shí)間常數(shù)較大，正常工作的三極管Ⅴ2，在正半周期大信號(hào)輸出時(shí)，由C2來提供能量，此時(shí)C2上的電壓基本接近Ucc電源電壓。這就是所謂的自舉電路在放大器中的作用與功能所在。

彈指一揮間，這是好多年前的電子電路的基礎(chǔ)知識(shí)。 以上個(gè)人觀點(diǎn)，年長時(shí)久，難免只言片語和不當(dāng)之處，望能夠體恤，本人在此謝過。

知足常樂2018.3.17于上海