請(qǐng)教硬盤(pán)和閃存的差別？硬盤(pán)和閃存的區(qū)別主要體現(xiàn)在使用壽命不同，輸出接口不同，性能不同，容量不同。1.使用壽命不同：硬盤(pán)的使用壽命高于閃存，因?yàn)殚W存是有使用壽命的，比如100萬(wàn)次寫(xiě)入。2.輸出接口不同：

請(qǐng)教硬盤(pán)和閃存的差別？

硬盤(pán)和閃存的區(qū)別主要體現(xiàn)在使用壽命不同，輸出接口不同，性能不同，容量不同。

1.使用壽命不同：硬盤(pán)的使用壽命高于閃存，因?yàn)殚W存是有使用壽命的，比如100萬(wàn)次寫(xiě)入。

2.輸出接口不同：閃存通常的輸出接口是USB，SSD是sata接口或者其他接口，比如SATA SSD、msata SSD、M.2 SSD等。

3.性能不同：性能差別很大。普通閃存產(chǎn)品一次只能讀或?qū)懸粋€(gè)操作，因?yàn)殚W存顆粒的電壓變化受主控影響，通常只有一個(gè)；SSD的主控比較復(fù)雜，可以同時(shí)控制不同的電壓變化。閱讀和寫(xiě)作幾乎沒(méi)有影響，可以同時(shí)進(jìn)行。

4.容量不同：閃存通常是單個(gè)閃存區(qū)組，偶爾兩個(gè)區(qū)組作為雙通道，SSD是多區(qū)組，所以閃存通常容量較小，而SSD可以從容量比較大的開(kāi)始，比如256G SSD。

硬盤(pán)存儲(chǔ)和閃存的原理和區(qū)別是什么？

1.閃存的存儲(chǔ)原理：

(1)閃存在由浮柵晶體管組成的存儲(chǔ)單元陣列中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在單層單元(SLC)器件中，每個(gè)單元僅存儲(chǔ)1位信息。

通過(guò)控制各種電荷值，多級(jí)單元(MLC)器件可以在每個(gè)單元中存儲(chǔ)多于1位的數(shù)據(jù)。

(2)除了晶體管具有兩個(gè)柵極而不是一個(gè)柵極之外，閃存的每個(gè)存儲(chǔ)單元類(lèi)似于標(biāo)準(zhǔn)MOSFET。頂部是控制柵極(CG)，就像其他MOS晶體管一樣。但是在它下面是通過(guò)氧化層與周?chē)h(huán)境絕緣的浮柵(FG)。該FG位于CG和MOSFET通道之間。因?yàn)檫@個(gè)FG在電學(xué)上獨(dú)立于絕緣層，所以進(jìn)入的電子將被捕獲在內(nèi)部。

正常情況下，多年后電荷不會(huì)逃逸。

當(dāng)FG捕捉到電荷時(shí)，它部分地屏蔽了來(lái)自CG的電場(chǎng)，并改變了該電池的閥電壓(VT)。在讀出期間。當(dāng)電壓達(dá)到CG時(shí)，MOSFET溝道將導(dǎo)通或保持絕緣。

這取決于單元的VT(并且單元的VT由FG上的電荷控制)。

該電流流經(jīng)MOSFET通道，以二進(jìn)制代碼的形式讀取和再現(xiàn)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

在每個(gè)單元存儲(chǔ)超過(guò)1位數(shù)據(jù)的MLC器件中，為了更精確地測(cè)量FG中的電荷水平，通過(guò)感應(yīng)電流的量(而不是僅僅存在或不存在)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

(3)邏輯上，單層NORFlash單元在默認(rèn)狀態(tài)下代表二進(jìn)制碼中的“1”值，因?yàn)楫?dāng)用特定的電壓值控制柵極時(shí)，電流會(huì)流過(guò)溝道。

通過(guò)下面的過(guò)程，可以將NORFlash單元設(shè)置為二進(jìn)制代碼中的“0”值。2.硬盤(pán)的存儲(chǔ)原理：

(1)硬盤(pán)是一種使用磁介質(zhì)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在密封在干凈的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器腔內(nèi)的若干個(gè)磁盤(pán)上。

一般來(lái)說(shuō)，這些磁盤(pán)是通過(guò)在基底表面涂覆磁介質(zhì)而形成的。在磁盤(pán)的每一面，以一定磁密度為旋轉(zhuǎn)軸的幾個(gè)同心圓劃分成磁道，每個(gè)磁道又劃分成幾個(gè)扇區(qū)，數(shù)據(jù)按扇區(qū)存儲(chǔ)在硬盤(pán)上。

每邊對(duì)應(yīng)有一個(gè)讀寫(xiě)頭，所以不同頭相同位置的所有磁道構(gòu)成所謂的柱面。

傳統(tǒng)的硬盤(pán)讀寫(xiě)是通過(guò)柱面、磁頭和扇區(qū)進(jìn)行尋址的(CHS尋址)。

硬盤(pán)通電后，一直高速旋轉(zhuǎn)。頭臂上的磁頭懸浮在磁盤(pán)表面，通過(guò)步進(jìn)電機(jī)可以在不同的柱面之間移動(dòng)，對(duì)不同的柱面進(jìn)行讀寫(xiě)。

因此，如果硬盤(pán)在通電時(shí)劇烈震蕩，磁盤(pán)表面容易被刮傷，磁頭也容易損壞，這將給磁盤(pán)上存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)帶來(lái)災(zāi)難性的后果。

(2)硬盤(pán)的第一個(gè)扇區(qū)(磁道0，磁頭1扇區(qū))保留為主引導(dǎo)扇區(qū)。

主引導(dǎo)區(qū)主要有兩個(gè)內(nèi)容：主引導(dǎo)記錄和硬盤(pán)分區(qū)表。

主引導(dǎo)記錄是一段程序代碼，主要用于引導(dǎo)安裝在硬盤(pán)上的操作系統(tǒng)。硬盤(pán)分區(qū)表存儲(chǔ)硬盤(pán)的分區(qū)信息。

計(jì)算機(jī)啟動(dòng)時(shí)會(huì)讀取這個(gè)扇區(qū)的數(shù)據(jù)，判斷其合法性(扇區(qū)最后兩個(gè)字節(jié)是0x55AA還是0xAA55)。如果合法，它將跳轉(zhuǎn)執(zhí)行該扇區(qū)的第一條指令。

所以硬盤(pán)的主引導(dǎo)區(qū)往往是病毒攻擊的對(duì)象，被篡改甚至破壞?？梢龑?dǎo)標(biāo)志：0x80是可引導(dǎo)分區(qū)類(lèi)型標(biāo)志；0表示未知；1 FAT12；4是FAT16；5分區(qū)進(jìn)行擴(kuò)展等。